VO_2的MIT特性及应用机理  

MIT Properties and Application Mechanism of VO_2

作　　者：陈长琦[1] 陈庆连[1] 王君[1] 方应翠[1] 王旭迪[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学机械与汽车工程学院真空技术与应用工程中心,安徽合肥230009

出　　处：《红外》2005年第9期5-8,共4页Infrared

摘　　要：本文主要讨论了VO2薄膜的相变温度和相变过程的光电、热致回线宽度的特性,同时分析了对这些特性的主要影响因素,并探讨了VO2薄膜在目前可使用器件中的应用机理。The properties of phase transition temperature, photoelectron and thermal hysteresis width for VO2 films are discussed. The effect of the main factors on MIT properties is analyzed. The application mechanism of VO2 films in present instruments is presented.

关 键 词：VO2 相变 光电开关 热致变色材料 VO2薄膜 应用机理 MIT 相变过程 相变温度 同时分析 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]