GaAs／AlGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系  

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITON LINEWIDTHS IN NARROW GaAs/AlGaAs AND InGaAs/AlGaAs QUANTUM WELLS

作　　者：金世荣[1] 褚君浩[1] 汤定元[1] 罗晋生 徐仲英[2] 罗昌平[2] 袁之良[2] 许继宗[2] 郑宝真[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 [2]中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家实验室

出　　处：《红外与毫米波学报》1996年第4期291-296,共6页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加。Temperature dependence of exciton linewidths in GaAs/AlGaAs and InGaAs/AlGaAs quantum wells with very narrow well widths was investigated.The increase of the acoustic phonon linear scattering coefficient was found with decreasing well width in low temperature range.The experimental results were discussed.

关 键 词：激子线宽 声学声子散射 半导体 量子阱 

分 类 号：O471.3[理学—半导体物理] TN201[理学—物理]