罗昌平

作品数：7被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：砷化镓超晶格INGAAS/GAASGAAS/ALAS伏法更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
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GaAs／AlGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
《红外与毫米波学报》1996年第4期291-296,共6页金世荣 褚君浩 汤定元 罗晋生 徐仲英 罗昌平 袁之良 许继宗 郑宝真 
国家自然科学基金
研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加。
关键词：激子线宽 声学声子散射 半导体 量子阱 
（GaAs／AlAs）_n短周期超晶格类型及其转变的光伏研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第7期487-490,共4页罗昌平 江德生 李锋 庄蔚华 
首次用光伏方法研究了（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格中的超晶格类型及其转变问题．不同于其它方法，光伏方法仅涉及到载流子在实空间中的分离及其大小．这种空间分离在Ⅰ类超晶格中为零，而在Ⅱ类超晶格中不为零．（ＧａＡｓ／...
关键词：超晶格 砷化镓 砷化铝 类型 光伏法 
InGaAs／GaAs和InGaAs／AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程
《红外与毫米波学报》1995年第3期237-240,共4页金世荣 罗晋生 褚君浩 徐仲英 袁之良 罗昌平 许继宗 郑宝真 
利用时间分辨光谱技术，在１１～９０Ｋ温度范围研究了不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变层量子阱子带弛豫过程，讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用．
关键词：子带间弛豫 应变层量子阱 铟镓砷 激子 
MBECdTe／GaAs光致发光研究
《红外与毫米波学报》1995年第3期189-194,共6页陈世达 林立 何先忠 许继宗 罗昌平 徐仲英 
在１０Ｋ低温下对分子束外延（ＭＢＥ）生长的ＣｄＴｅ（１１１）Ｂ／ＧａＡｓ（１００）／ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ外延膜进行了光致发光（ＰＬ）测量，得到了ＰＬ谱和带边激子辐射的精细结构．计算得到束缚激子的...
关键词：分子束外延 光致发光 碲化镉 
InGaAs／GaAs应变量子阱中的激子发光动力学被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第2期101-106,共6页徐仲英 罗昌平 金世荣 许继宗 郑宝真 
本文详细测量并分析了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中的激子发光衰退特性，研究了激子发光寿命与Ｉｎ组分和阱宽的关系．发现Ｉｎ组分增大时，激子寿命变短，而发光寿命与阶宽的关系不大．文章分析了影响发光寿命的诸多因素，指出...
关键词：砷化镓 砷化镓铟 量子阱 激子发光 动力学 应变 
Si　NIPI　结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁
《Journal of Semiconductors》1994年第2期76-82,共7页罗昌平 江德生 李锋 庄蔚华 李玉璋 
我们对不同光照条件下ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应进行了研究，并在正面光照时作了外加Ｈｅ－Ｎｅ激光连续照射前后的对比实验．结果表明，ＳｉＮＩＰＩ结构中存在Ｂｒｕｍ等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应，并且进一步从...
关键词：硅 光伏效应 杂质 NIPI结构 
非对称耦合双阱P—I—N结构的光伏谱研究
《红外与毫米波学报》1993年第2期89-94,共6页徐士杰 江德生 张耀辉 罗昌平 罗晋生 
首次报道了GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs(50(?)/40(?)/100(?))非对称耦合双阱P-I-N结构的室温光伏谱,清楚地观察到双阱的轻、重空穴激子峰,这些激子峰的能量位置与光荧光和光电流谱得到的数据吻合得很好,而且光伏谱谱形非常类似于光...
关键词：光伏谱 量子阱 P-I-N结构 双阱 
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