MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器  

A MS/RF CMOS-Process-Compatible Photodetector

作　　者：黄家乐[1] 毛陆虹[1] 陈弘达[2] 高鹏[2] 刘金彬[2] 雷晓荃[1] 

机构地区：[1]天津大学电子与信息工程学院,天津300072 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第10期1995-2000,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312240;2003AA312040);国家自然科学基金(批准号:69896260)资助项目~~

摘　　要：为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RFCMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.For implementing an optoelectronics integrated circuit in communications systems,a Si-photodetector is designed using a standard industrial CMOS process,and five new structures based on the newly developed TSMC 0.18μm MS/RF CMOS process technology are introduced. Some critical parameters of these new structure photodetectors,such as dark current, responsivity,and junction capacitance,are measured and analyzed. These experiment results indicate that Si-photodetectors based on a MS/RF CMOS process perform very well.

关 键 词：单片集成 MS/RF CMOS工艺 硅光电探测器 暗电流 响应度 结电容 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]