厚层聚酰亚胺介质层制备及湿法刻蚀工艺研究  

作　　者：戴敏[1] 刘刚[1] 王从香[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第14研究所,南京210013

出　　处：《混合微电子技术》2005年第3期44-46,43,共4页Hybrid Microelectronics Technology

摘　　要：厚层聚酰亚胺介质层制备及刻蚀工艺是微波多层电路的基础和关键工艺，其厚度一致性、均匀性、可重复性、稳定性决定了微波电路的性能。本文通过对聚酰亚胺材料的选择、旋涂工艺控制解决了厚层聚酰亚胺（PI）介质层的制备难题，制备的厚层介质厚度为11±1μm。通过控制NaOH溶液浓度和温度的方法实现了厚层介质的湿法刻蚀，蚀刻边缘坡度为10°左右。

关 键 词：微波电路 厚层有机介质 聚酰亚胺(PI) 湿法刻蚀 聚酰亚胺材料 介质层 制备 厚层 工艺研究 工艺控制 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TQ171[化学工程—玻璃工业]