激光诱导化学气相沉积纳米硅的红外光谱  

Infrared Spectra of Nanosized Silicon Prepared by LICVD

作　　者：王卫乡[1] 刘颂豪[1] 李道火[1] 刘宗才[1] 

机构地区：[1]中国科学院国际材料物理中心,华南师范大学量子电子学研究所,中国科学院安徽光学精密机械研究所

出　　处：《量子电子学》1996年第1期67-73,共7页

基　　金：广东省自然科学基金;广东省博士后基金

摘　　要：对激光化学气相沉积纳米硅的红外光谱进行了研究，结合红外光声光谱考察了退火处理对其红外光谱吸收峰位置的影响，对纳米硅的红外吸收峰进行了标识和讨论。Infrared(IR) spectra of the nanosized silicon produced by laser-induced chemicalvapor deposition have been studied. The influence of annealing treatment on the IR absorption peaks of the nanosized silicon was investigated by means of infrared photoacousticspectroscopy. The IR absorption peaks have been assigned.

关 键 词：红外光谱 纳米硅 激光 化学气相沉积 

分 类 号：TN24[电子电信—物理电子学] O433.5[机械工程—光学工程]