PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性  

PIEZO-RESISTANCE EFFECT OF HYDROGENATED NANO-CRYSTALLINE SILICON FILMS WITH PECVD DEPOSITION METHOD

作　　者：于晓梅[1] 何宇亮[1] 李雪梅 余明斌 

机构地区：[1]北京航空航天大学应用数理系

出　　处：《北京航空航天大学学报》1996年第1期84-87,共4页Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics

基　　金：航空科学基金

摘　　要：使用常规的ＰＥＣＶＤ等离子体增强化学汽相沉积）沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜，并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料纳米硅薄膜的压阻特性．测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数Ｋ，其值可以达到８０，退火后Ｋ值会增加，电阻随压力呈良好的线性关系，但有较大滞后．并对样品的受力情况及测试结果进行了简单的分析．本文对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值．By employing the conventional PECVD deposition method, the nano-sized crystalline silicon films (nc-Si:H)are obtained and piezo-resistance effect of nc-Si:H on glass and silicon substrates is also studied. The resistance increases with annealing process linearly but has lag.The K values for two kinds of substrates are high and vary with annealing process.The maximum K value can reach 80.The result has significant value in designing and fabricating nc-Si:H piezo-sensitivity devices.

关 键 词：硅膜 界面 压力灵敏度 纳米硅 晶态比 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] O484.2[理学—固体物理]