四价金属元素锆(Zr)对氧化铁薄膜气敏特性的影响  

Effects of Quadrivalent Metal Zircon(Zr)-doping on the Gas-Sensing Properties ofα-Fe_(2)O_(3)Thin Films

作　　者：柴常春[1] 彭军[1] 镇桂芹 

机构地区：[1]西安电子科技大学 [2]西安通信学院

出　　处：《传感器技术》1996年第2期15-18,共4页Journal of Transducer Technology

摘　　要：对用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺制备的纯α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜和掺锆（Ｚｒ）α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性进行了研究。实验表明掺Ｚｒ是改善α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜材料气敏特性的一种有效途径。The gas-sensing properties of pure α- Fe2O3 and Zr-doping α-Fe2O3 thin films prepared by atmospheric pressure chemical vapotur deposition (APCVD) are investigated. Experimental results indicated that Zr-doping is an effective method to improve the gas-sensing preperties of α-Fe2O3 thin films.

关 键 词：α-Fe_(2)O_(3)薄膜 掺锆 气敏特性 

分 类 号：O614.412[理学—无机化学] TN304.055[理学—化学]