硅片键合制备SOI衬底  

Preparation of SOI Substrate Using Wafer Bonding

作　　者：童勤义[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《电子器件》1996年第1期1-8,共8页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要特点是与硅超大规模集成技术（ＶＬＳＩ）的兼容性及其自身的灵活性。相同的或不相同的，抛光的半...In this paper we discuss the main methods for preparing SOI snbstrate using wafer bonding, especially the technologes for uniformly thinning one wafer of a bonded pair to an ultrathin scale (< 100 nm).

关 键 词：硅片键合 SOI衬底 制备 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]