下一代光刻技术  

The Next Generation Lithography

作　　者：佟军民[1] 胡松[1] 余国彬[1] 

机构地区：[1]中国科学院光电技术研究所

出　　处：《电子工业专用设备》2005年第11期27-33,共7页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。The evolution tages, disadvantages and Nanoimprint Lithography described. of the Next Generation Lithography（NGL） is R＆D of Extreme Ultraviolet Lithography introduced. The principles, advan（EUVL） , Immersion Lithography, and Maskless Lithography （ML2） are stressed,and the prospects of them are

关 键 词：下一代光刻技术 浸没式光刻技术 极端远紫外光刻技术 纳米压印光刻技术 无掩模光刻技术 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]