IR推出新型DirectFET HOSFET有效降低高达30%的导电损耗  

出　　处：《电源技术应用》2005年第11期I0010-I0010,共1页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：世界功率管理技术领袖国际整流器公司（IR）近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET—IRF6648。该器件的最大导通电阻为7．0m（VGS=10V），导电损耗可比同类解决方案减少30％。

关 键 词：DIRECTFET 电损耗 功率MOSFET 国际整流器公司 IR 管理技术 导通电阻 器件 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TQ174.13[化学工程—陶瓷工业]