钛酸锶钡薄膜掺杂改性研究进展  

Research Progress of Doped Barium Strontium Titanate Thin Films

作　　者：方瑜[1] 肖定全[1] 刘娟妮[1] 朱建国[1] 

机构地区：[1]四川大学材料科学系,成都610064

出　　处：《材料导报》2005年第12期106-109,共4页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金重点项目(50572020);国家自然科学基金项目(10175035)

摘　　要：钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3,BST)薄膜具有优良的铁电、介电性能,在可调谐微波器件、动态随机存储器、红外探测器阵列等方面具有良好的应用前景。综述了近年来 BST 薄膜掺杂改性研究所取得的进展,特别是对晶格掺杂和晶界掺杂进行了较详细的评述,并对目前 BST 薄膜掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论。Barium strontium titanate（BST） thin films possess good ferroelectric and dielectric properties. They are promising materials in application of tunable microwave devices, DRAMs, IR detector arrays and so on. This paper summarizs the effect of donor doing, acceptor doping and grain boundary doping in BST thin films reported in many literatures recently years. Some advanced problems in BST thin films doping are also carefully dscussed here.

关 键 词：钛酸锶钡薄膜 掺杂改性 铁电薄膜 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]