SiC纳米线的制备研究现状与展望  

Research and Perspective on Preparation of SiC Nanofibers

作　　者：李昌龄[1] 刘技文[2] 赵燕平[2] 李延辉[1] 李娟[1] 

机构地区：[1]天津理工大学材料物理研究所,天津300191 [2]天津理工大学材料科学与工程学院,天津300191

出　　处：《材料导报》2005年第F05期99-101,共3页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金（批准号：60476003）;天津市自然科学基金（批准号：0238016-11）资助项日

摘　　要：综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作。介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法，并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作，对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望。This paper reviews preparation of SiC nanofibers. Several methods of preparing SiC nanofibers based on the growth mechanism are introduced. Some fields to be investigated are presented in the growth control of SiC nanofibers. The prospects for preparation of SiC nanofibers are discussed.

关 键 词：SIC 纳米线 生长机制 制备 控制生长 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学] TS202.3[轻工技术与工程—食品科学]