AlGaAs/GaAsHBT的设计与研制  

Design and Manufacture of AlGaAs/GaAs HBT

作　　者：胡海蓉[1] 牛萍娟[1] 胡海洋[2] 郭维廉[1] 

机构地区：[1]天津工业大学信息与通信工程学院,天津300160 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《河北工业大学学报》2005年第6期87-90,共4页Journal of Hebei University of Technology

基　　金：天津市高等学校科技发展基金资助(20020711);天津市应用基础研究重点项目资助(043800811)

摘　　要：分析了AlGaAs/GaAsHBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAsHBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AlGaAs/GaAsHBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平;开启电压小于0.3V.The theory and material structure of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor （HBT） are analyzed. The device structure and the pivotal process of it are introduced in detail. An optimized AlGaAs/GaAs HBT was made, which had good characteristics, high current gain （β） of 180 and low turn-on voltage of less than 0.3 V. It was the best result of current gain reported before in China.

关 键 词：ALGAAS/GAAS 异质结双极晶体管 工艺 

分 类 号：TN313[电子电信—物理电子学]