1μm宽硅深槽刻蚀技术  

1-μm-Wide Silicon Trench Etching

作　　者：王清平[1] 郭林[1] 刘兴凤 蔡永才 黄正学 

机构地区：[1]电子工业部第24研究所

出　　处：《微电子学》1996年第1期35-39,共5页Microelectronics

摘　　要：介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。The principle of Si trench etching is introduced, and major press factors to influence etching results are examined. An approach is presented to achieve 1-μp-wide Si trench etching.Process parameters are proposed for etching of 1-μm-wide, 8-μm-deep Si trench with clean and smooth sidewall and bottom.

关 键 词：反应离子刻蚀 硅深槽隔离 微电子器件 工艺 

分 类 号：TN405.983[电子电信—微电子学与固体电子学]