GaAs/InP低温晶片键合的研究  

Low Temperature GaAs/InP Wafer Bonding

作　　者：王兴妍[1] 黄辉[1] 王琦[1] 任晓敏[1] 黄永清[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学光通信中心,北京100876

出　　处：《半导体光电》2005年第6期512-514,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"973"计划资助项目(2003CB314902);国家自然科学基金重点项目(90201035);国家自然科学基金重大研究计划项目(90104003);教育部重点资助项目(02028)

摘　　要：将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380℃)晶片键合。并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析。The low temperature bonding of GaAs/InP wafers is successfully realized by a new surface treatment. In this method, the surfaces of two wafers are etched by H2NCSNH2 solution. The bonded wafers are analyzed through the bonding strength, interface I-V curve and the interface shape.

关 键 词：键合 GAAS/INP I-V曲线 光致发光谱 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]