云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAAS/INP

GAAS/INP: 作品数：13被引量：9H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘式墉王本忠晏磊于丽娟刘宝林更多>>; 相关机构：吉林大学中国科学院北京邮电大学中国科学院大学更多>>; 相关期刊：《光子学报》《高技术通讯》《半导体技术》《Chinese Physics Letters》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>

Optical properties of Zn-diffused InP layers for the planar-type InGaAs/InP photodetectors: 《Journal of Semiconductors》2017年第12期56-61,共6页Guifeng Chen Mengxue Wang Wenxian Yang Ming Tan Yuanyuan Wu Pan Dai Yuyang Huang Shulong Lu; Project supported by the Key R&D Program of Jiangsu Province(No.BE2016085);the National Natural Science Foundation of China(Nos.61674051);the External Cooperation Program of BIC,Chinese Academy of Sciences(No.121E32KYSB20160071); Zn diffusion into InP was carried out ex-situ using a new Zn diffusion technique with zinc phosphorus particles placed around InP materials as zinc source in a semi-closed chamber formed by a modified diffusion furnac...; 关键词：Zn diffusion SEMI-CLOSED InGaAs/InP PIN photodetectors photoluminescence （PL） dark current RESPONSIVITY

图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长: 《半导体技术》2015年第6期448-454,共7页戚永乐张瑞英张震王岩岩朱健孙玉润赵勇明董建荣王庶民; 国家自然科学基金资助项目(51202284);信息功能材料国家重点实验室开放课题; 使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生...; 关键词：图形化衬底 GaAs/InP异质外延表面形貌粗糙度应力

GaAs/InP的键合界面热应力分析被引量：5: 《固体电子学研究与进展》2012年第2期120-125,共6页于丽娟晏磊; 采用双层条状金属热应力模型,用MATLAB方法对退火过程中GaAs/InP晶片间的应力和双轴弹性形变能进行模拟和分析。结果表明:将InP剪薄至200μm,GaAs剪薄至175μm,剪应力取得了一个相对的小值,而剥离应力更是被完全消除,这时正应力也相对...; 关键词：砷化镓/磷化铟键合热应力退火温度晶片厚度

应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第3期237-241,共5页杨新荣徐波赵国晴周晓静王占国; 国家自然科学基金(批准号:60990315);国家重点基础研究发展规划(编号:2006CB604904)资助项目; 利用固源分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)设备生长出InAs/InAlGaAs/InP(001)纳米结构材料,探讨了应变补偿技术和生长停顿对InAs纳米结构形貌的影响.应变补偿技术的引入导致量子点和量子线混合结构的形成,有望成为超宽带半导体...; 关键词：量子线量子点应变补偿生长停顿

Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures被引量：1: 《Chinese Physics Letters》2011年第2期194-196,共3页YANG Xin-Rong XU Bo WANG Hai-Fei ZHAO Guo-Qing SHI Shu-Hui SHEN Xiao-Zhi LI Jun-Feng WANG Zhan-Guo; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 60990315;the National Basic ResearchProgram of China under Grant No 2006CB604904.; Self-assembled InAs quantum wires(QWRs)are fabricated on an InP substrate by solid-source molecular beam epitaxy(SSMBE).Photoluminescence(PL)spectra are investigated in these nanostructures as a function of temperatur...; 关键词：ALGAAS temperature PHOTOLUMINESCENCE

基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术被引量：1: 《光电子．激光》2010年第10期1511-1514,共4页宋海兰黄辉王文娟黄永清任晓敏; 国家重点基础研究发展计划“973”资助项目(2010CB327600);国家高技术发展研究计划项目“863”资助项目(2006AA03Z416,2007AA03Z418,2009AA03Z405,2009AA03Z417);北京市教育委员会共建资助项目(XK100130637);北京市“科技新星计划”资助项目(2006A46);国际科技合作重点项目计划资助项目(2006DFB11110);高等学校学科创新引智计划资助项目(B07005);教育部“长江学者和创新团队发展计划”资助项目(IRT0609); 提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In...; 关键词：低温键合 GAAS/INP 二次离子质谱(SIMS)

GaAs／InP键合电学性质的研究被引量：1: 《量子电子学报》2010年第4期469-473,共5页何国荣渠红伟杨国华郑婉华陈良惠; 国家自然科学基金(60837001);信息学院青年自然科学基金(QN-08011)资助项目; Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少。采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算...; 关键词：材料界面态密度热电子发射键合

GaAs/InP低温晶片键合的研究: 《半导体光电》2005年第6期512-514,共3页王兴妍黄辉王琦任晓敏黄永清; 国家"973"计划资助项目(2003CB314902);国家自然科学基金重点项目(90201035);国家自然科学基金重大研究计划项目(90104003);教育部重点资助项目(02028); 将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380℃)晶片键合。并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析。; 关键词：键合 GAAS/INP I-V曲线光致发光谱

InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究: 《吉林大学自然科学学报》2001年第1期57-60,共4页张冶金王新强陈维友刘彩霞汪爱军杨树人刘式墉; 国家自然科学基金 !(批准号 :6993 70 10 );国防科技重点实验室基金! (批准号 :99js36.2 .1jw130 1);吉林省青年基金! (批准号 :1999; 用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 PL谱的能级分布 ,分析PL谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 PL峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 PL谱峰值有明显红移。; 关键词：自组装量子点室温PL谱能级分布半导体外延层砷化铟砷化钙磷化铟

InP/GaAs/InPⅡ型量子阱的光致发光研究被引量：1: 《厦门大学学报（自然科学版）》1998年第4期503-506,共4页陈松岩刘宝林陈龙海黄美纯陈朝; 福建省自然科学基金; 报道了用金属有机化合物化学气相沉积技术生长ＩｎＰ／ＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，通过线性形变势理论计算表明该结构为Ⅱ型量子阱结构．; 关键词：Ⅱ型量子阱结构光致发光半导体

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