SiC薄膜的化学汽相沉积及其研究进展  

Chemical Vapor Deposition of SiC Films and Its Progress

作　　者：简红彬[1] 康建波[1] 于威[2] 马蕾[1] 彭英才[1] 

机构地区：[1]河北大学电子信息工程学院,河北保定071002 [2]河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002

出　　处：《微纳电子技术》2006年第1期11-15,共5页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法———化学汽相沉积(CVD)法制备SiC薄膜的近年研究进展,并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。The recent progress on fabricating methods of SiC films using chemical vapor deposition （CVD） was introduced, and the structural characteristics and physical properties of the CVD-SiC films were also reviewed.

关 键 词：SIC薄膜 化学汽相沉积 物理性质 器件应用 

分 类 号：TN304.18[电子电信—物理电子学] TN304.055