超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展  

Progress on the Fabricated Technique of Ultrathin SiO_xN_y Films

作　　者：张弘[1] 范志东[1] 田书凤[1] 彭英才[1] 

机构地区：[1]河北大学电子信息工程学院,河北保定071002

出　　处：《河北大学学报（自然科学版）》2005年第6期673-679,共7页Journal of Hebei University(Natural Science Edition)

基　　金：河北省自然科学基金资助项目(503125);南京大学固体微结构物理实验开放课题(M041911)

摘　　要：在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.Ultrathin SiOxNy films have been widely researched and used as the first choice of the gate dielectrics in the 0. 1μm Si-CMOS devices and integrated circuit. This paper introduces the recent progress on the fabricated technique of SiOxNy, and predicates the developed tendency.

关 键 词：SiOxNy栅介质 热退火N化 等离子体氮化 化学气相沉积 氮注入 

分 类 号：O848.4[理学]