90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性  

Characteristics of I_(sub,max) Stress in 90nm-Technology nMOSFETs

作　　者：陈海峰[1] 马晓华[1] 郝跃[1] 曹艳荣[1] 黄建方[1] 王文博[1] 李康[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第12期2411-2415,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~

摘　　要：研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightlydoped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDDnMOSFET的GIDL(gateinduced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论.The characteristics of hot carriers in 90nm-technology LDD （lightly doped drain） nMOSFETs are investigated under Isub,max stress. By analyzing the variation of the GIDL （gate-induced drain leakage） current before and after applying successive stresses to the LDD nMOSFET,it is found that when the nMOSFET＇s gate thickness and channel length approach 1nm and 100nm respectively,the Isub,max stress is neither a electron-injection stress nor a both electron- and hole-injection stress, but a hole-injection stress. Furthermore, the conclusion is supported by the experiment of hole-injection stress and negative Isub,max stress.

关 键 词：最大衬底电流应力 关态 带带遂穿 陷阱电荷 GIDL 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]