负阻异质结晶体管的模拟与实验  

Fabrication and Simulation of NDRHBT

作　　者：李建恒[1] 张世林[1] 郭维廉[1] 齐海涛[1] 梁惠来[1] 毛陆虹[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院微电子系,天津300072

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第12期2416-2421,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311905)~~

摘　　要：采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流IC与VCE的关系表达式,讨论了负阻与器件结构和参数的关系.使用PSPICE模拟软件建立电路网表模型,代入推导出的ICVCE公式进行模拟,模拟结果与器件的测量结果十分接近.A thin base （8nm） InGaP/GaAs dual heterojunction material is grown by MBE and a heterojunction bipolar transistor （HBT） with negative differential resistance （NDR） is fabricated. The NDR is observed at constant voltage and current. A physical analysis of this device is presented. The physical IC-VCE formulas are derived and the relation between the NDR and the structure and parameters of this device is discussed. The circuit net list model is compiled by PSPICE including the IC-VCE formulas and the simulated result is close to the measured outcome.

关 键 词：异质结晶体管 负阻特性 薄基区 电路模拟 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]