磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱混合的研究  

作　　者：陈杰[1] 王永晨[1] 赵杰[1] 韩德俊[2] 

机构地区：[1]天津师范大学物理与电子信息学院,天津300074 [2]北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京100875

出　　处：《光子技术》2005年第4期187-189,共3页Photon Technology

基　　金：国家自然基金资助项目(编号:60276013);北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室部分资助。

摘　　要：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合。注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2。注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒。实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关。大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰。

关 键 词：离子注入 InGaAsP/InP双量子阱 量子阱混合 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] TN248.4