量子阱混合

作品数：20被引量：12H指数：2
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带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器被引量：2
《半导体技术》2015年第8期596-600,共5页姚南 赵懿昊 刘素平 马骁宇 
中国科学院支撑项目(61501060206)
为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管。通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si O2和Si3N4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s。最终制备出的带...
关键词：半导体激光器 无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD) 非吸收窗口 高温退火 灾变性光学损伤(COD) 
氩等离子体诱导量子阱混合技术
《浙江大学学报（工学版）》2011年第6期1057-1061,共5页彭盛华 张欣 何建军 
国家自然科学基金资助项目(60788403);浙江省自然科学基金资助项目(2008R10008)
研究了基于InGaAsP/InP应变多量子阱片的氩等离子体诱导量子阱混合工艺方法.当等离子刻蚀机(ICP)的射频(RF)功率为480W、ICP功率为500W、处理时间为1min时,ICP处理过程中氩(Ar)等离子体对量子阱片的刻蚀深度小于牺牲层的厚度500nm,晶格...
关键词：量子阱混合 氩等离子体 InP牺牲层 光致发光(PL) 退火温度 ICP功率 
离子注入诱导的具有两个不同发射波长的混合双量子阱结构(英文)被引量：1
《发光学报》2009年第5期575-579,共5页陈杰 刘国营 罗时军 吴波英 彭菊村 赵杰 胡永金 张西平 
supported by the Foundation of Young and Middle-aged Scientific and Technological Innovation Team of Hubei Province of China(T200805)~~
叙述了磷离子注入方法诱导具有不同发射波长的InGaAsP双量子阱结构的混合,并通过光致发光谱和断面透射电子显微术对量子阱混合的程度进行了研究。在特定条件下快速热退火处理后,光致发光谱显示,在离子注入剂量低于7×1011/cm2情况下,两...
关键词：磷离子注入 双量子阱 量子阱混合 
INTENSE进军中国市场——科艺仪器在远东地区代理其新一代半导体激光器
《激光与光电子学进展》2008年第2期73-73,83,共2页
英国，格拉斯哥，当地时间2008年1月14日，Intense公司，新一代激光器研究开发和制造者，与专业的世界先进激光器和仪器设备经销商科艺仪器有限公司（A＆P INSTRUMENT）签署了一份分销协议。该协议授权科艺仪器在远东地区代理分销Intens...
关键词：高功率半导体激光器 仪器设备 远东地区 中国市场 代理 红外半导体激光器 激光器阵列 量子阱混合 
离子注入结合无杂质空位诱导量子阱混合的研究
《中国材料科技与设备》2006年第2期22-24,共3页陈杰 杨格丹 王永晨 赵杰 
国家自然基金资助项目（编号：60276013）;教育部北京师范大学射线束技术与材料改性重点实验室部分资助项目
离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空住扩散（IFVD）方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合（QWI）的重要方法。本文采用磷离子注入（注入能量为160keV，剂量分别为1×10^11，1×10^12，1×10^13，3×10^13，7×10^...
关键词：岛子注入诱导无序(IICD) 无杂质空位扩散(IFVD) 量子阱混合 带隙蓝移 
磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱混合的研究
《光子技术》2005年第4期187-189,共3页陈杰 王永晨 赵杰 韩德俊 
国家自然基金资助项目(编号:60276013);北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室部分资助。
本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合。注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2。注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒。实验结果表明,小剂量注入...
关键词：离子注入 InGaAsP/InP双量子阱 量子阱混合 
量子阱混合超辐射发光管
《科技开发动态》2004年第8期56-56,共1页
关键词：量子阱 超辐射发光管 多区式交替结构 超辐射发光器件 
一种增强量子阱混合的新技术被引量：1
《光子技术》2004年第3期132-134,155,共4页杨格丹 王永晨 赵杰 车经国 张淑云 
国家自然科学基金项目(60276013)
采用PECVD技术在1.55μm InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5-74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝...
关键词：量子阱 MQW SIO2薄膜 激光器结构 PL谱 快速热退火 蓝移 i-O 测试 电介质 
量子阱混合(QWI)及其在光子集成电路(PIC’s)中的应用被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第4期517-524,共8页王永晨 赵杰 
国家自然科学基金;面上项目 (60 2 760 13 )
综述近二十年来国际上对光电子材料超晶格量子阱生长后 ,为改变局部量子阱原有带隙而采用的各种量子阱混合无序方法。介绍了各种方法的技术特点、优缺点及它们在光子集成电路中的应用。
关键词：量子阱混合(QWI) 光子集成电路(PIC’s) 光通讯(OCS) 
InGaAsP量子阱混合技术理论及模拟研究被引量：3
《量子电子学报》2003年第3期350-357,共8页岳优兰 
本文以晶格中原子的扩散理论为基础,分析了四元系InGaAsP半导体材料中III、V族原子的扩散规律,建立了量子阱和超晶格结构中量子阱混合(QWI)的理论模型,模拟计算了半导体材料中组分浓度与扩散长度的关系,以及应变与扩散长度的关系,计算...
关键词：半导体 量子阱 超晶格 量子阱混合 理论及数值计算 INGAASP 铟钙砷磷 
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