姚南

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：半导体激光器大功率COD高温退火空位更多>>
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带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器被引量：2
《半导体技术》2015年第8期596-600,共5页姚南 赵懿昊 刘素平 马骁宇 
中国科学院支撑项目(61501060206)
为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管。通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si O2和Si3N4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s。最终制备出的带...
关键词：半导体激光器 无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD) 非吸收窗口 高温退火 灾变性光学损伤(COD) 
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