ZnO薄膜V族掺杂的研究进展  

Development of p-type ZnO Film Prepared by with Group-V Elements Doping

作　　者：朱仁江[1] 孔春阳[1] 马勇[1] 王万录[2] 廖克俊[2] 

机构地区：[1]重庆师范大学光学工程实验室,重庆400047 [2]重庆大学数理学院,重庆400044

出　　处：《材料导报》2006年第1期113-115,125,共4页Materials Reports

基　　金：重庆市攻关项目资助(CSTC;2004AC4034)重庆市教委项目资助(KJ050812)

摘　　要：ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。ZnO film is the third generation semiconductor functional material, whose high quality p-type doping is the key for developing optoelectronic devices. After summarizing in detail the research on p-type doping with group-Ⅴ elements including N, P and As, this article describes the technology of codoping and presents some areas where more work is needed.

关 键 词：氧化锌 P型掺杂 共掺杂 Ⅴ族元素 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程] TN304.21[电子电信—物理电子学]