CMOS成像传感器的下一步  

作　　者：顾聚兴 

出　　处：《红外》2006年第1期44-46,48,共4页Infrared

摘　　要：用互补金属氧化物半导体（CMOS）的制造方法来生产成像传感器列阵芯片，这种可能性在20世纪80年代末得到了验证．从那时起，以DRAM成本模型把所有的模拟和数字成像电路都集成在单片上一直是CMOS传感器设计人员梦寐以求的目标，然而，在此期间，CCD器件的制造商不断地减小CCD传感器列阵的尺寸并降低其价格以使CMOS传感器在市场上站不住脚。

关 键 词：CMOS传感器 成像传感器 互补金属氧化物半导体 20世纪80年代 CCD传感器 CCD器件 制造方法 设计人员 成像电路 成本模型 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]