一种新型P阱NMOS功率集成电路制作技术  

A Novel Technique For P-Well NMOS Power IC's

作　　者：曹广军[1] 刘三清[1] 秦祖新[1] 应建华[1] 徐彦忠 

机构地区：[1]华中理工大学固体电子学系

出　　处：《微电子学》1996年第3期195-197,共3页Microelectronics

摘　　要：提出一种新型的Ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术。理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ与Ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。实验结果表明，利用该技术获得的器件结构具有良好的击穿特性。A novel technique is proposed for p-well NMOS PIC fabrication.Theoretical analysis on the typical structure shows that VDMOS cells and p-well NMOS IC'S can be compatibly integrated into one chip. Experiment results demonstrate that p-n junctions obtained with the new technique have the same breakdown properties as the conventionally diffused ones.

关 键 词：功率集成电路 VDMOS FET 隔离技术 

分 类 号：TN430.595[电子电信—微电子学与固体电子学]