秦祖新

作品数:12被引量:5H指数:1
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一种新型P阱NMOS功率集成电路制作技术
《微电子学》1996年第3期195-197,共3页曹广军 刘三清 秦祖新 应建华 徐彦忠 
提出一种新型的P阱NMOS功率集成电路制作技术。理论分析表明,该技术可以较好地实现VDMOSFET与P阱NMOS电路的兼容集成。实验结果表明,利用该技术获得的器件结构具有良好的击穿特性。
关键词:功率集成电路 VDMOS FET 隔离技术 
一种双扩散p阱nMOS器件新结构
《微电子学》1994年第4期17-21,共5页秦祖新 曹广军 刘三清 
本文介绍了一种适用于VDMOS功率集成电路的双扩散p阱nMOS器件新结构,该结构具有与VDMOS工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现nMOS处理电路与衬底间的pn结隔离,并且隔离电压接近VDMOS管的...
关键词:双扩散 MOS器件 结构 P阱 
速度检测专用芯片电路的设计
《微电子学》1994年第3期5-9,共5页刘三清 秦祖新 曹广军 应建华 
对具有周期性运动特点的物体,采用计量周期运动时间以及通过周期运动行程与周期运动时间的除法运算可获得其运动速度,本文所论述的就是基于这个思想而进行的一种检测速度的新型电路设计方法。该设计采用集成芯片电路的设计方法,电路...
关键词:速度 检测 电路设计 专用芯片电路 
硅片直接键合工艺中的热过程被引量:1
《微电子学》1993年第6期47-49,55,共4页曹广军 秦祖新 余跃辉 彭昭廉 
本文介绍了一种利用硅片直接键合(SDB)技术制作Si/Si衬底的方法。从理论上研究了键合过程中的热过程,如键合界面区中氧的扩散和杂质的再分布。利用SDB方法制成了p-n^+二极管,其击穿电压为500V,正向压降略小于0.7V,测得的少子寿命约为7.5...
关键词:硅片直接键合 健合界面 击穿电压 
MOS型硅功率器件平面终端结构
《微电子学》1992年第2期37-44,共8页秦祖新 刘三清 
本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。
关键词:硅功率器件 MOS器件 终端结构 
数字电路启动自复零脉冲产生电路及其版图的设计被引量:1
《微电子学》1992年第2期45-48,61,共5页刘三清 应建华 秦祖新 
在铝栅CMOS数字电路中,采用一个低跨导pMOS管和一个低跨导nMOS管及两个专门设计的大电容和两级普通倒相器,可构成一个自复零电路。在芯片电源接通时,该电路产生一个具有一定持续时间的脉冲,使芯片所有应复零的电路复位。本文对这种电路...
关键词:CMOS 数字电路 自复零电路 版图 
功率场效应晶体管VDMOS导通电阻的优化被引量:1
《微电子学》1991年第6期18-21,共4页应建华 刘三清 秦祖新 
本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显的改变,为实际研制工作提供了依据。
关键词:场效应晶体管 VDMOS 导通电阻 
通信LSI/VLSI工艺
《微电子学》1991年第6期51-55,共5页刘三清 秦祖新 
本文介绍通信LSI/VLSI电路制作技术中目前比较通用的工艺。总的来说,通信电路工艺是以前LSI/VLSI22艺的继续和发展。文中论述的重点是那些和过去LSI/VLSI工艺不同的方面,而这些方面主要体现在模拟电路的制作工艺上。
关键词:通信 LSI/VLSI 工艺 
通信电路:LSI/VLSI发展的新领域
《微电子学》1991年第6期45-50,共6页刘三清 秦祖新 
本文介绍了通信技术和通信电路的发展情况,论述了通信技术和通信电路与通信LSI/VLSI发展的密切关系以及通信电路技术的特点;并通过实例说明通信LSI/VLSI中典型的电路和技术。
关键词:通信 LSI/VLSI 编码 滤波器 
MOS型硅功率器件的耐压与终端处理
《微电子学》1991年第6期7-13,共7页秦祖新 刘三清 
本文介绍了MOS型硅功率器件常见的平面结击穿电压的基本理论和提高击穿电压的基本方法以及终端处理技术发展中所面临的课题。
关键词:MOS技术 功率器件 集成电路 硅器件 
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