功率场效应晶体管VDMOS导通电阻的优化  被引量:1

Optimization of On-Resistance in Power VDMOS Transistors

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作  者:应建华[1] 刘三清[1] 秦祖新[1] 

机构地区:[1]华中理工大学,武汉430074

出  处:《微电子学》1991年第6期18-21,共4页Microelectronics

摘  要:本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显的改变,为实际研制工作提供了依据。The relationship between on-resistance and parameters of cell structures in power FET VDMOS transistors is investigated in this paper,with emphasis on the dependence of on-resistance on gate width, gate oxide thickness and impurity concentration of epi-layers. The calculated curves showing I-V characteristics vary significantly with different parameters of cell structures, which may provide a guide to the practical designing and processing of the device.

关 键 词:场效应晶体管 VDMOS 导通电阻 

分 类 号:TN386.1[电子电信—物理电子学]

 

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