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机构地区:[1]华中理工大学,武汉430074
出 处:《微电子学》1991年第6期18-21,共4页Microelectronics
摘 要:本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显的改变,为实际研制工作提供了依据。The relationship between on-resistance and parameters of cell structures in power FET VDMOS transistors is investigated in this paper,with emphasis on the dependence of on-resistance on gate width, gate oxide thickness and impurity concentration of epi-layers. The calculated curves showing I-V characteristics vary significantly with different parameters of cell structures, which may provide a guide to the practical designing and processing of the device.
分 类 号:TN386.1[电子电信—物理电子学]
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