LSI/VLSI

作品数:18被引量:6H指数:1
导出分析报告
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者:刘三清姜国均秦祖新兰家隆刘军更多>>
相关机构:中国科学院华中理工大学电子科技大学北京邮电大学更多>>
相关期刊:《微处理机》《微电子学》《电子学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金:国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
集成电路固有失效机理的可靠性评价综述
《集成电路与嵌入式系统》2024年第7期1-11,共11页章晓文 周斌 牛皓 林晓玲 
ULSI/VLSI集成电路芯片的可靠性既与设计有关,也与工艺加工过程有关,即芯片的可靠性是设计进去、制造出来。设计是集成电路芯片可靠性的基础,工艺制造是集成电路芯片可靠性的实现。要使超大规模集成电路在特定的寿命期间内能够稳定地工...
关键词:ULSI/VLSI集成电路芯片 固有失效机理 可靠性评价标准 可靠性试验方法 
ULSI/VLSI中铝互连线热应力的数值模拟
《微电子学》2005年第6期577-580,共4页付厚奎 吴月花 刘志民 郭春生 李志国 程尧海 吉元 崔伟 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439040203QT0101)
对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型。对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加。对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟...
关键词:VLSI 铝互连线 热应力 有限元 
BiCMOS结构中阱特性的研究
《微电子学》1999年第5期331-335,共5页鲍荣生 
叙述了以双极型工艺为主体的BiCMOS结构中p阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在p阱下面采用埋层,抑制或消除了BiCMOS中p阱结构的寄生效应。
关键词:半导体工艺 BICMOS 阱电阻 埋层 LSI/VLSI 
关于LSI/VLSI的设计规则检查
《微处理机》1998年第1期11-14,共4页赵天麟 
本文介绍了DRACULA/DRC的主要命令和OPTION以及应用有关命令对P阱CMOSLSI/VLSI版图进行设计规则检查(DRC)的情况。
关键词:设计规则检查 LSI VLSI 版图设计 
一种新的LSI/VLSI电路测试方法
《中国纺织大学学报》1995年第1期116-123,共8页高建华 
本文提出一种根据输出端值的变化频度测试LSI/VLSI电路I/O线上的固定故障的方法。该方法的优点是不需待测电路功能函数,也不需标准电路作比较。文章同时讨论用软件和硬件的实现方法。
关键词:LSI VLSI 集成电路 测试 
LSI/VLSI中缺陷、杂质与器件性能的关系
《上海金属(有色分册)》1992年第1期47-51,共5页胡才雄 
结合器件工艺的失效分析,评述了硅中缺陷和氧、碳、金属杂质与器件性能、器件工艺之间的相互关系。指出:杂质和缺陷对器件的性能、成品率和可靠性有严重的影响,尤其经金属杂质缀饰的缺陷对器件的危害更大。对硅中某些杂质和缺陷的最新...
关键词: 吸除 器件性能 缺陷 杂质 
HC—1CAD:一个LSI/VLSI版图计算机辅助设计系统
《计算机杂志》1992年第1期10-15,共6页徐则琨 胡迎松 
关键词:集成电路 LSI VLSI CAD 版图 
通信LSI/VLSI工艺
《微电子学》1991年第6期51-55,共5页刘三清 秦祖新 
本文介绍通信LSI/VLSI电路制作技术中目前比较通用的工艺。总的来说,通信电路工艺是以前LSI/VLSI22艺的继续和发展。文中论述的重点是那些和过去LSI/VLSI工艺不同的方面,而这些方面主要体现在模拟电路的制作工艺上。
关键词:通信 LSI/VLSI 工艺 
通信电路:LSI/VLSI发展的新领域
《微电子学》1991年第6期45-50,共6页刘三清 秦祖新 
本文介绍了通信技术和通信电路的发展情况,论述了通信技术和通信电路与通信LSI/VLSI发展的密切关系以及通信电路技术的特点;并通过实例说明通信LSI/VLSI中典型的电路和技术。
关键词:通信 LSI/VLSI 编码 滤波器 
用于超高速数字和混合模拟/数字LSI/VLSI电路的自对准栅Ⅲ-Ⅴ族异质结构FET技术
《半导体情报》1991年第2期45-56,2,共13页A.I.Akinwande 敖金平 
报道了一种用于制作高速数字及混合模拟/数字LSI/VLSI集成电路的平面离子注入自对准栅技术。采用增强型(e-型)n^+-(Al,Ga)As/MODFET,超晶格MODFET及掺杂沟道异质结构场效应晶体管(DCHFET),实现了4位模-数转换器,2500门8×8乘法器/累加器...
关键词:异质结 场效应晶体管 LSI VLSI 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部