含氢硅单晶2210cm^(-1)IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺  

作　　者：陈建民[1] 谢雷鸣[1] 白国仁[1] 周建坤[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《中国科学（A辑）》1989年第8期864-872,共9页Science in China(Series A)

摘　　要：本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm^(-1)IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_(2d)对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具有两种状态:低于200K的T_d稳态和D_(2d)亚稳态及高于200K的D_(2d)稳态和T_d亚稳态。对称性破缺机制所给出的结果不仅在定性上,而且在定量上都能与实验相符,这证明V+4H是2210cm^(-1)IR峰对应的缺陷中心具有较高的可信度。

关 键 词：含氢 硅 单晶 峰型 温度效应 缺陷 

分 类 号：O771[理学—晶体学]