白国仁

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：硅超导薄膜IR硅单晶单晶更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《低温物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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衬底温度对化学气相淀积原位生长YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜的影响
《低温物理学报》1991年第6期439-443,共5页陶卫 章熙康 王蓉 白国仁 
国家超导研究发展中心资助的项目
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在氧化钇稳定的 ZrO_2(YSZ)衬底上一次生长出零电阻温度大于85K 的 YBa_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)超导薄膜.研究了衬底温度对薄膜结构的影响,获得薄膜取向与衬底温度的关系和形成超导相的最低温度范围....
关键词：MOCVD YBCO 超导薄膜 衬底 温度 
含氢硅单晶2210cm^(-1)IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺被引量：1
《中国科学（A辑）》1989年第8期864-872,共9页陈建民 谢雷鸣 白国仁 周建坤 
本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm^(-1)IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_(2d)对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具...
关键词：含氢 硅 单晶 峰型 温度效应 缺陷 
硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用
《Journal of Semiconductors》1989年第7期561-563,共3页施天生 白国仁 
国家自然科学基金
利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论.
关键词：硅 氢 缺陷 
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