周建坤

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：离子束计算机模拟氮化钛薄膜氮化钛氮化硅薄膜更多>>
发文领域：金属学及工艺电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《金属学报》更多>>
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离子束增强沉积合成氮化钛薄膜的计算机模拟
《金属学报》1991年第3期B196-B201,共6页王曦 周建坤 陈酉善 柳襄怀 邹世昌 
本文建立了一个适用于描述离子束增强沉积(Ion Beam Enhanced Deposition,即IBED)过程的Monte-Carlo计算机模拟程序。程序由离子注入计算和蒸发沉积计算两大部分组成。离子注入计算以二体碰撞近似为基础,以随机固体为靶模型,对入射离子...
关键词：离子束 沉积 氮化钛 薄膜 计算机 
TiN薄膜的合成及其性能研究被引量：1
《金属学报》1990年第2期B130-B135,共6页周建坤 柳襄怀 陈酉善 王曦 郑志宏 黄巍 邹世昌 
用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击交替进行的办法合成了TiN薄膜。用RBS,AES,TEM,XPS,和X射线衍射研究TiN薄膜的组分和结构表明:用离子束增强沉积制备的TiN薄膜主要由TiN相构成;晶粒大小为30—40um,无择优取向;而非离子束轰击沉积...
关键词：TIN膜 薄膜 合成 离子束 沉积 
含氢硅单晶2210cm^(-1)IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺被引量：1
《中国科学（A辑）》1989年第8期864-872,共9页陈建民 谢雷鸣 白国仁 周建坤 
本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm^(-1)IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_(2d)对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具...
关键词：含氢 硅 单晶 峰型 温度效应 缺陷 
离子束增强沉积制备氮化硅薄膜的计算机模拟被引量：2
《Journal of Semiconductors》1989年第7期519-524,共6页周建坤 陈酉善 柳襄怀 杨根庆 邹世昌 
Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有关信息.它是TRIMSP的发展,并利用了ZBL(Ziegler,Biersack,Littmark)最新的二体势和电子阻止本领.模拟计算...
关键词：离子束 氮化硅 薄膜 计算机模拟 
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