硅基单电子晶体管的制备  

Fabrication of Silicon Single Electron Transistors

作　　者：张杨[1] 韩伟华[1] 杨富华[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《微纳电子技术》2006年第2期73-79,共7页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家自然科学基金项目(60506017);中国科学院半导体研究所所长基金资助项目(2005DF01)

摘　　要：硅基单电子晶体管是一种极具潜力的新型量子器件。大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容。介绍了硅基单电子晶体管一些典型的具体制备工艺和方法以及该领域近年来的研究热点。Silicon single-electron transistors are a new-style dot device of great potentials. Most of the fabrication methods of silicon single-electron transistors can be perfectly compatible with the Si complementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） technology. Some typical fabrication methods of silicon single-electron transistors （SET） were introduced and some attractive issues in the past few years were summarized.

关 键 词：硅基单电子晶体管 制备方法 硅-绝缘体技术 电子束曝光 

分 类 号：TN321[电子电信—物理电子学]