UDMOSFET特征导通电阻物理模型  被引量:1

A Specific Physical Model On-resistance of UDMOSFET

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作  者:王洪岩[1] 王中文[1] 

机构地区:[1]辽宁大学物理系,辽宁沈阳110036

出  处:《辽宁大学学报(自然科学版)》2006年第1期46-48,共3页Journal of Liaoning University:Natural Sciences Edition

摘  要:简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,重点讨论了特征导通电阻()与结构参数的关系,给出了的数学模型.该模型具有形式简单、结果准确和使用方便的特点.The article introduces the structure and work theory of UDMOSFET, and emphatically discusses the connection between the specific on- resistance (Rona) and structural parameters, then shows the mathematical model of Rona which is simple, exact and convenient.

关 键 词:UDMOSFET 导通电阻 特征电阻 

分 类 号:TN386.1[电子电信—物理电子学]

 

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