特征电阻

作品数：11被引量：15H指数：3
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新型超导带材制作的无绝缘线圈特性研究
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2024年第3期0220-0224,共5页冯兆祎 金康杰 马勇虎 李柱永 
新型的4S带材是由4mm宽的常规ReBCO带材经过窄化堆叠工艺而制成。本文研究了4S带材制作的无绝缘线圈(以下称4S线圈)与常规超导带材制作的无绝缘线圈(以下称ReBCO线圈),对两个线圈的临界电流、特征电阻、仿真模型的充电延迟特性和充电损...
关键词：无绝缘线圈 延迟特性 充电损耗 交流损耗 特征电阻 
用于大功率超声的电缆传输特征的实验研究
《声学技术》2014年第1期25-29,共5页沈建国 陈丽华 周翔 盛晓斐 
国家863计划资助项目(2007AA06Z226)
大功率超声电信号通过特种电缆传输时,其电流损耗比较大。为了解决该电信号的长距离传输问题,用4294A阻抗分析仪对单芯同轴电缆进行了有针对性的测试。通过改变电缆的负载电阻,获得了一系列电缆的输入阻抗随频率的变化曲线。当负载电阻...
关键词：大功率超声 电缆 特征电阻 输入电阻 传输 
脉搏血氧饱和度测量原理概述及常见血氧探头的电气图
《总装备部医学学报》2010年第3期134-136,共3页高新军 刘新颖 
关键词：脉搏血氧饱和度 发光二极管 探头 特征电阻 
低压VDMOSFET元胞尺寸设计被引量：4
《微电子学与计算机》2007年第12期77-79,84,共4页屈坤 淮永进 刘建朝 
VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度LW的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围。
关键词：VDMOSFET 特征电阻 窗口扩散区长度LW 多晶硅栅长度LP 
低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计被引量：1
《现代电子技术》2007年第14期163-166,共4页白朝辉 刘文辉 
介绍VDMOS阈值电压的定量计算及氧化层厚度对他的影响,及VDMOS的氧化层厚度与特征电阻RONA的关系,讨论了栅氧化层的厚度对特征电阻的影响并进行了简单计算。此外,讨论了最新的VDMOS结构和制造技术,对器件阈值与特征电阻进行了优化。
关键词：功率VDMOS 阈值电压 特征电阻 MOSFET 
UDMOSFET特征导通电阻物理模型被引量：1
《辽宁大学学报（自然科学版）》2006年第1期46-48,共3页王洪岩 王中文 
简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,重点讨论了特征导通电阻()与结构参数的关系,给出了的数学模型.该模型具有形式简单、结果准确和使用方便的特点.
关键词：UDMOSFET 导通电阻 特征电阻 
高压VDMOSFET的最佳设计被引量：2
《辽宁大学学报（自然科学版）》2004年第4期367-370,共4页王中文 
介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V,TOX与RonA的关系曲线.首次提出RonA与PW/PT有最佳比例关系.
关键词：功率VDMOSFET 导通电阻 特征电阻 单胞 
VDMOSFET导通电阻的最佳化设计被引量：3
《飞机设计》2002年第2期48-51,共4页高雅君 
分析了VDMOSFET导通电阻模型 ,提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA(单位面积导通电阻 )最小 ,并通过大量理论计算给出击穿电压为5 0V时的最佳单胞尺寸。
关键词：导通电阻 设计 VDMOSFET 特征电阻 单胞尺寸 
低压VDMOSFET导通电阻的优化设计被引量：5
《辽宁大学学报（自然科学版）》2001年第3期247-252,共6页赵野 张颖 高嵩 石广元 
对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析 ,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响 .通过这些分析和计算 ,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则 ,并给出了低压条件下最佳单元尺寸 .
关键词：单胞尺寸 特征电阻 VDMOSFET 优化设计 集成电路 导通电阻 
同轴传输线的电特性研究
《曲阜师范大学学报（自然科学版）》1999年第3期61-62,共2页于国安 张锋 刘瑶华 
探讨了在介质漏电情况下，同轴传输线中的电流分布．指出电流和电势是随空间变化的，当介质的电导率为０时，ω＝０，传输线电流Ｉ为常量；并计算出无限长同轴传输线的电阻Ｒ＝（Ｒ１＋Ｒ２）／ω及有限长同轴传输线的电阻Ｒｌ。
关键词：同轴传输线 电导 特征电阻 电特性 电磁理论 
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