屈坤

作品数：1被引量：4H指数：1
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低压VDMOSFET元胞尺寸设计被引量：4
《微电子学与计算机》2007年第12期77-79,84,共4页屈坤 淮永进 刘建朝 
VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度LW的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围。
关键词：VDMOSFET 特征电阻 窗口扩散区长度LW 多晶硅栅长度LP 
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