低压VDMOSFET元胞尺寸设计  

The Design of Low-Voltage VDMOSFET Cell Size

作　　者：屈坤[1] 淮永进 刘建朝 

机构地区：[1]西安微电子技术研究所,陕西西安710075 [2]北京燕东微电子有限公司,北京100029

出　　处：《微电子学与计算机》2007年第12期77-79,84,共4页Microelectronics & Computer

摘　　要：VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度LW的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围。One of the most important design aim of VDMOSFET is the low on-resistance in unit area. The consequence of poly gate length Lp and diffusion area length Lw to VDMOSFET on-resistance of unit area is presented, and get the numerical value of diffusion area length and number range of poly gate length Lp when the on-resistance is minimal.

关 键 词：VDMOSFET 特征电阻 窗口扩散区长度LW 多晶硅栅长度LP 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]