低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计  

Optimization Design between Threshold Voltage and Featured on-Resistance of VDMOS

作　　者：白朝辉 刘文辉 

机构地区：[1]西安卫光科技有限公司,陕西西安710065

出　　处：《现代电子技术》2007年第14期163-166,共4页Modern Electronics Technique

摘　　要：介绍VDMOS阈值电压的定量计算及氧化层厚度对他的影响,及VDMOS的氧化层厚度与特征电阻RONA的关系,讨论了栅氧化层的厚度对特征电阻的影响并进行了简单计算。此外,讨论了最新的VDMOS结构和制造技术,对器件阈值与特征电阻进行了优化。The paper introduces the calculation of VDMOS, then introduces the relationship between Tax and special on -resistance of VDMOS,it also discusses the effect on the To, to special on - resistance and gives the simple calculation. Furthermore,the paper discusses the optimization design of new structure and manufacture technology to threshold voltage and featured on - resistance of VDMOS.

关 键 词：功率VDMOS 阈值电压 特征电阻 MOSFET 

分 类 号：TN302[电子电信—物理电子学]