功率VDMOSFET

作品数：16被引量：35H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王中文高玉民高嵩石广源董四华更多>>
相关机构：辽宁大学西安电子科技大学陕西机械学院中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊：《山西电子技术》《吉林大学学报（信息科学版）》《半导体技术》《电力电子》更多>>
相关基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应被引量：12
《微纳电子技术》2017年第2期80-85,共6页刘忠永 蔡理 刘小强 刘保军 崔焕卿 杨晓阔 
国家自然科学基金资助项目(11405270)
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了...
关键词：碳化硅(SIC) 单粒子烧毁(SEB) 垂直双扩散MOSFET((VDMOSFET)) SEB阈 值电压 二维器件仿真 
功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究被引量：2
《半导体技术》2011年第9期693-696,共4页赵志桓 姜维宾 韩希方 张礼 李惠军 李东华 
依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能...
关键词：功率 优化 仿真 工艺参数 可制造性设计 验证 
高压功率VDMOSFET的设计与研制
《电力电子》2010年第6期56-59,49,共5页耿凯鸽 
随着现代工艺水平的提高与新技术开发的多元化,功率VDMOSFE设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展,成为目前新型电力电子器件研究的重点。本文按照功率VDMOSFE正向设计的思路,选取<100>晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MED...
关键词：级联多电平变换器 有功和无功控制 直流侧电压控制 
高压功率VDMOSFET的设计与研制
《山西电子技术》2010年第4期91-93,共3页耿凯鸽 
按照功率VDMOSFET正向设计的思路,选取（100）晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件,提取参数结果,并最终完成工艺产品试制,达到了500 V/8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制要求。结果证...
关键词：功率VDMOSFET 计算机模拟仿真 结终端结构 
功率VDMOSFET单粒子效应研究被引量：4
《微纳电子技术》2008年第10期573-576,共4页段雪 郎秀兰 刘英坤 董四华 崔占东 刘忠山 孙艳玲 胡顺欣 冯彬 
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS...
关键词：功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 单粒子栅穿 单粒子烧毁 缓冲屏蔽 锎源 
优化VDMOSFET体二极管的方法与意义
《科技信息》2007年第33期96-96,137,共2页张朝杰 
垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构中包含一个由p阱和n-漂移区构成的寄生二极管。本文就当前同步整流DC/DC转换器中大功率VDMOSFET体二极管导电导致的功率损失问题进行了较细致地分析,就减小体二极管反向恢复...
关键词：功率MOSFET 功率VDMOSFET 体二极管 优化 
功率VDMOSFET结终端技术研究
《辽宁大学学报（自然科学版）》2006年第2期180-183,共4页张雯 张俊松 
提出了一种多重场限环(FLR)终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单模拟结构用以绘制所谓的击穿电压-间距曲线,由这一曲线可以直接得到最优化结构,而不必进行试验也不易发生错误.由此种方法得到的结果与实验结果附合得非常好....
关键词：场限环(FLR) 结终端 优化设计 器件模拟 
功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点被引量：5
《吉林大学学报（信息科学版）》2004年第6期549-552,共4页金千男 杜国同 
综合评述了VDMOSFET(VerticalDoubleDiffusedMOSFET)与IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trenchgate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点。新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减...
关键词：功率器件 功率MOSFET 绝缘栅双极晶体管 
高压VDMOSFET的最佳设计被引量：2
《辽宁大学学报（自然科学版）》2004年第4期367-370,共4页王中文 
介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V,TOX与RonA的关系曲线.首次提出RonA与PW/PT有最佳比例关系.
关键词：功率VDMOSFET 导通电阻 特征电阻 单胞 
VDMOSFET的T_(ox)与特征导通电阻R_(onA)的关系被引量：3
《辽宁大学学报（自然科学版）》2003年第1期36-39,共4页王中文 高嵩 石广源 
介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型 ,重点讨论了栅SiO2 厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响 ,经过大量的理论计算 ,给出了击穿电压为 2 0V时VDMOSFET的Tox与RonA的关系曲线 .
关键词：Tox 特征导通电阻 RonA 功率VDMOSFET 单胞电阻 功率容量 栅极SiO2厚度 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部