优化VDMOSFET体二极管的方法与意义  

作　　者：张朝杰[1] 

机构地区：[1]许昌学院

出　　处：《科技信息》2007年第33期96-96,137,共2页Science & Technology Information

摘　　要：垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构中包含一个由p阱和n-漂移区构成的寄生二极管。本文就当前同步整流DC/DC转换器中大功率VDMOSFET体二极管导电导致的功率损失问题进行了较细致地分析,就减小体二极管反向恢复电荷问题进行了研究。在此基础上,提出了优化VDMOSFET体二极管的意义,在不改变工艺流程的前提下,给出了优化设计方法。

关 键 词：功率MOSFET 功率VDMOSFET 体二极管 优化 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]