硅体中磷反应扩散系统解的整体存在性及渐近性  被引量:2

The Asymptotic Behavior and Existence of The Global Solution for the Systems of Phosphorus Diffusion in Silicon

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作  者:杨万利[1] 陈金海[1] 

机构地区:[1]北京解放军装甲兵工程学院,河北师范大学数学系

出  处:《应用数学》1996年第3期382-387,共6页Mathematica Applicata

基  金:博士点基金

摘  要:本文用上下解方法,研究了一类带混合非齐次边界条件的化学反应──硅体中磷反应扩散系统,采用避开△的特征函数构造上下解的方法,得到一类充分条件,以使其整体解渐近趋向于Steady-state解.In this paper,a kind of chemical reaction on the phosphorus diffusion in silicon with the mixed nonhomogeneous boundary condition is studied,by constructing a couple appropriate upper and lower solution independent of the eigenfunction of the operator,a sufficient condition which sure the global solution asymptotic convergence to steady-state solution are obtained.

关 键 词:反应扩散系统 整体解 渐近性 硅体  

分 类 号:O643.1[理学—物理化学] O175.2[理学—化学]

 

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