硅基锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展  

Research progress of heterostructures of lead zirconate-titanate thin films on silicon substrate

作　　者：张洪伟[1] 校峰[2] 杨艳[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室,四川成都610054 [2]西北工业大学理学院应用化学系,陕西西安710072

出　　处：《绝缘材料》2006年第1期52-55,共4页Insulating Materials

摘　　要：介绍了锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展,举例说明了锆钛酸铅薄膜异质结构的特性,并进行了分析比较。氧化物电极结构将替代现有的金属电极结构,从而有效解决铁电性能的退化问题,是未来铁电薄膜异质结构的发展方向。The research development of the heterostructures of lead zirconate-titanate ferroelectric thin films is introduced. Different heterostructures are outlined to be analyzed and compared. The structure of metal electrodes will be instead of the oxide electrodes, which can resolve the degeneration of ferroelectric properties, and will be the development direction of heterostructures of ferroelectric thin films.

关 键 词：铁电薄膜 异质结构 锆钛酸铅 氧化物电极 

分 类 号：TM22[一般工业技术—材料科学与工程]