杨艳

作品数:6被引量:10H指数:2
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供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题:铁电薄膜锆钛酸铅漏电流导电机理氧化锌薄膜更多>>
发文领域:一般工业技术电气工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊:《材料导报》《绝缘材料》《压电与声光》更多>>
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锆钛酸铅薄膜化学刻蚀技术研究被引量:1
《压电与声光》2008年第2期248-250,共3页杨艳 刘敬松 张树人 翟亚红 
国家安全重大基础研究基金资助项目(51310Z)
介绍了一种刻蚀效果良好的应用于铁电存储器(FeRAM)的PZT薄膜的化学湿法化学刻蚀方法。采用典型的半导体光刻工艺,通过研究不同的刻蚀剂对PZT薄膜的化学刻蚀效果表明,利用BOE/HNO3/CH3COOH/HCl/NH4Cl/EDTA刻蚀液刻蚀PZT薄膜可得图形质...
关键词:锆钛酸铅 化学刻蚀 铁电性能 
退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响被引量:1
《压电与声光》2008年第1期87-89,共3页谢和平 张树人 杨成韬 张洪伟 杨艳 
国家重大基础研究基金资助项目(51310Z)
采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜,在氧气和氩气的混合气氛、不同温度(400~900℃)下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对薄膜结构、形貌...
关键词:快速热退火 ZNO薄膜 C轴取向 透射电镜(TEM) 
锆钛酸铅铁电薄膜电容的研究现状被引量:1
《材料导报》2006年第F11期323-325,329,共4页张洪伟 张树人 杨艳 谢和平 相龙成 
国家重大基础研究项目资助(51310Z)
介绍了Pb(Zr,Ti)O3,(PZT)铁电薄膜电容的研究现状,列举了不同电极和缓冲层所制备出的PZT铁电薄膜电容的结构,并对不同结构进行了分析比较,结果表明由于氧化物电极材料的各种优越性,已被证明可用于替代现有的金属电极材料,从而有效解决了...
关键词:PZT 电容 电极材料 氧化物 
铁电存储器集成工艺中关键技术研究进展被引量:2
《材料导报》2006年第11期104-107,共4页杨艳 张树人 刘敬松 杨成韬 
国家安全重大基础研究项目(51310Z)
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器与传统的半导体存储器相比有很多优点,其关键集成工艺技术有铁电薄膜制备技术、电极制备、刻蚀技术、氢阻技术、金属互连技术、钝化技术。简要介绍了这些工艺技术的研究现状,并讨...
关键词:铁电薄膜 铁电存储器 集成工艺 
铁电薄膜漏电流研究现状被引量:5
《绝缘材料》2006年第4期51-55,共5页杨艳 张树人 刘敬松 张洪伟 刘蒙 
国家安全重大基础研究项目(51310Z)
铁电薄膜的漏电流问题一直是困扰铁电存储器发展的重要问题。文章介绍了铁电薄膜的主要导电机理如热激发电子电导、空间电荷限制电流(SCLC)、Pool-Frenkel发射、肖特基发射等,影响漏电流大小的主要因素如薄膜厚度、工艺温度、晶粒尺寸...
关键词:铁电薄膜 漏电流 导电机理 
硅基锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展
《绝缘材料》2006年第1期52-55,共4页张洪伟 校峰 杨艳 
介绍了锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展,举例说明了锆钛酸铅薄膜异质结构的特性,并进行了分析比较。氧化物电极结构将替代现有的金属电极结构,从而有效解决铁电性能的退化问题,是未来铁电薄膜异质结构的发展方向。
关键词:铁电薄膜 异质结构 锆钛酸铅 氧化物电极 
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