高度c轴取向的ZnO膜的低温水热法制备  

Low-temperature Hydrothermal Growth of Oriented [0001] ZnO Film

作　　者：李抒智[1] 周圣明[1] 刘红霞[1] 杭寅[1] 夏长泰[1] 徐军[1] 顾书林[2] 张荣[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800 [2]南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室,南京210093

出　　处：《无机化学学报》2006年第3期411-414,共4页Chinese Journal of Inorganic Chemistry

基　　金：国家重点基金资助项目(No.50532100);上海市科学技术委员会;上海半导体导体照明工程技术研究中心资助课题(No.05dz1106)。

摘　　要：在预先镀有ZnO纳米层的(0001)蓝宝石衬底上利用低温水热法制备出ZnO薄膜。SEM和XRD显示此ZnO膜是由六棱柱状阵列构成的,基于蓝宝石衬底生长,具有高度的c轴择优取向,且(0004)摇摆曲线的FWHM达到1.8°。并发现了在水热溶液中加入一定量六次甲基四胺可以调节六棱柱状ZnO尺寸比例。Well-aligned ZnO films have been prepared by using low-temperature hydrothermal approach on （0001） sapphire substrates pre-coated with a ZnO nano-layer by dip-coating. The characterization results by scanning electron microscopy （SEM） and X-ray diffraction （XRD） indicate that the ZnO films consist of hexagonal rods growing along c axis based on sapphire substrates. The size of ZnO rods could be adjusted by an aqueous solution with methenamine.

关 键 词：ZnO阵列膜 水热法 (0001)蓝宝石衬底 

分 类 号：O611.4[理学—无机化学] O614.241[理学—化学]