夏长泰

作品数：57被引量：723H指数：15
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供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文主题：水热法晶体生长氧化镓晶体单晶薄膜更多>>
发文领域：理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《硅酸盐学报》《超硬材料工程》《激光与光电子学进展》《高等学校化学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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Eu^(3+)离子注入β-Ga_(2)O_(3)单晶的应力变化和发光性质研究
《人工晶体学报》2022年第4期600-605,共6页王丹 王晓丹 夏长泰 赛青林 曾雄辉 
国家自然科学基金(61974158,61306004);江苏省自然科学基金(BK20191456);江苏省“十三五”重点学科项目(20168765);江苏省研究生科研与实践创新项目(KYCX19_2017)。
采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga_(2)O_(3)∶Eu^(3+)样品,并在空气中进行了退火处理,成功实现了Eu^(3+)的光学激活。通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga_(2)O_(3)晶体随Eu^(3+)注入剂量的应力变化趋势,发现随着Eu^(3+)剂量的增加,晶...
关键词：氧化镓 铕 应力 发光性质 缺陷 离子注入 高斯拟合 
掺质极宽禁带半导体β-Ga2O3单晶光电性质调控研究进展
《中国照明电器》2020年第8期1-11,共11页蒋孟飞 张乃霁 刘皓月 万玲玉 覃善华 夏长泰 
中国科学院上海光学精密机械研究所科创计划(2019-28);国家自然科学基金(51972319)。
近年来,β-Ga2O3材料的研究和应用成为国际上的热点。由于β-Ga2O3禁带宽度大(4.8~4.9 eV),击穿场强高达8 MV/cm^3,其单晶可以通过多种熔体法生长,故β-Ga2O3是一种极具潜力的应用于大功率电子设备和深紫外(DUV)光电探测器的半导体材料...
关键词：宽禁带半导体 β-Ga2O3晶体 掺质 光学性质 电学性质 
混晶β-(Al,Ga)_2O_3的禁带调节（英文）被引量：4
《无机材料学报》2016年第11期1258-1262,共5页肖海林 邵刚勤 赛青林 夏长泰 周圣明 易学专 
Science and Technology Commission of Shanghai Municipality(13111103700)
通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)_2O_3混晶。当Al^(3+)掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)_2O_3混晶保持了β-Ga_2O_3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al^(...
关键词：β-Ga2O3 Al3+ 禁带宽度 半导体 
连续和被动锁模Nd:CGA激光器的实验研究被引量：1
《激光与光电子学进展》2016年第10期188-192,共5页何坤娜 刘家兴 徐晓东 王兆华 李德华 田文龙 徐军 狄聚青 夏长泰 魏志义 
国家973计划(2013CB922402);国家自然科学基金国际联合研究项目(61210017)
采用X型谐振腔,实验研究了二极管抽运Nd:CGA激光器的连续和被动锁模激光特性。当Nd:CGA激光器实现连续运转时,采用不同透过率的输出镜优化激光器的连续输出功率。采用透射率为20%的输出镜时,获得了1.8 W的最高连续输出功率,斜率效率达到...
关键词：激光器 二极管抽运 Nd:CGA激光器 连续激光 被动锁模激光 
宽禁带半导体β-Ga_2O_3单晶的研究进展被引量：9
《人工晶体学报》2015年第11期2943-2953,共11页张宏哲 王林军 夏长泰 赛青林 肖海林 
上海市科委科技攻关(13111103700);国家自然科学基金(61176072)
本论文综述了宽禁带半导体β-Ga_2O_3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质。β-Ga_2O_3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景。
关键词：β-Ga2O3 晶体生长 LED MOSFET 紫外光探测器 
光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究被引量：4
《人工晶体学报》2015年第9期2354-2358,共5页张小桃 谢建军 夏长泰 张晓欣 肖海林 赛青林 户慧玲 
上海市科研计划能力建设项目(14520500300);上海市科委科技攻关(13111103700)
作为垂直结构的Ga N基LED新型衬底材料,β-Ga2O3单晶已经引起了人们的广泛关注。β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4+掺入是其中一种很好提高β-Ga2O3导电性的方法。利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10%的掺锡...
关键词：Sn∶β-Ga2O3 浮区法 电导率 荧光光谱 
(Y_(0.99-x)Ce_(0.01)Gd_x)_3Al_5O_(12)-Al_2O_3共晶的生长和性能研究被引量：1
《人工晶体学报》2014年第6期1356-1360,共5页吕正勇 施鹰 殷录桥 夏长泰 赛青林 狄聚青 
上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室开放课题
采用光学浮区法生长了质量较好(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm。通过XRD分析,结果表明共晶中只有Al2O3和YAG两种晶相;通过SEM观察表明,两种晶相在三维空间交错生长,形成自生互穿网络结构,共晶间距为10...
关键词：中国科学院大学 北京100049(Y0 99-xCe0 01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶 浮区法 发射光谱 
Cr^(3+)掺杂Al_2O_3-YAG共晶的生长及光谱性能研究被引量：3
《人工晶体学报》2013年第4期563-566,共4页赛青林 夏长泰 狄聚青 王璐璐 
上海市科委项目(11DZ1140301)
采用光学浮区法成功地生长出了质量良好的共晶。通过XRD分析,确认了共晶组成中仅含有Al2O3和YAG两种晶相,发现随着Cr的掺入,两相的晶胞参数相对于纯单晶略有增大。通过SEM观察发现共晶组织中两种晶相无序交错排布,共晶间距约10μm左右...
关键词：共晶 浮区法 吸收光谱 激发光谱 发射光谱 
光学浮区法生长Si∶β-Ga_2O_3单晶及其光谱研究被引量：3
《人工晶体学报》2013年第4期607-610,共4页王璐璐 夏长泰 赛青林 狄聚青 牟菲 
江苏省高校优势学科建设工程资助项目;国家自然科学基金(51075211;51275230);教育部博士点基金(20113218110018);南京航空航天大学研究生创新基金(kfjj20110226)
采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8 mm,长度约为2 cm。进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中;在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收...
关键词：Si∶β-Ga2O3 浮区法 光谱 
Mn^(2+)和Cr^(3+)在镁铝尖晶石中的发光性质及其能量传递被引量：2
《光学学报》2010年第7期1921-1925,共5页饶汗 夏长泰 初本莉 丁鹏 赛青林 
国家自然科学基金(50472032;50672105);上海市科学技术委员会半导体照明专项(08DZ1140900)资助课题
通过凝胶固相法在1400℃合成了单掺Mn2+,单掺Cr3+以及双掺Mn2+和Cr3+的镁铝尖晶石粉体。单掺Mn2+离子的样品在450 nm波长激发下有绿光发射(520 nm),单掺Cr3+离子的样品在397 nm波长激发下具有蓝光(450 nm)和红光发射(689 nm),在545 nm...
关键词：材料 荧光粉 镁铝尖晶石 Mn2+离子 Cr3+离子 能量传递 
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