牟菲

作品数:1被引量:3H指数:1
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供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文主题:SI浮区法光学光谱研究光谱更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《人工晶体学报》更多>>
所获基金:江苏省高校优势学科建设工程资助项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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光学浮区法生长Si∶β-Ga_2O_3单晶及其光谱研究被引量:3
《人工晶体学报》2013年第4期607-610,共4页王璐璐 夏长泰 赛青林 狄聚青 牟菲 
江苏省高校优势学科建设工程资助项目;国家自然科学基金(51075211;51275230);教育部博士点基金(20113218110018);南京航空航天大学研究生创新基金(kfjj20110226)
采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8 mm,长度约为2 cm。进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中;在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收...
关键词:Si∶β-Ga2O3 浮区法 光谱 
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