王林军

作品数：1被引量：9H指数：1
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供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文主题：单晶氧化镓共掺杂晶体电阻率更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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宽禁带半导体β-Ga_2O_3单晶的研究进展被引量：9
《人工晶体学报》2015年第11期2943-2953,共11页张宏哲 王林军 夏长泰 赛青林 肖海林 
上海市科委科技攻关(13111103700);国家自然科学基金(61176072)
本论文综述了宽禁带半导体β-Ga_2O_3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质。β-Ga_2O_3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景。
关键词：β-Ga2O3 晶体生长 LED MOSFET 紫外光探测器 
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