张小桃

作品数：1被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文主题：氧化镓SN浮区法单晶电导率更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
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光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究被引量：4
《人工晶体学报》2015年第9期2354-2358,共5页张小桃 谢建军 夏长泰 张晓欣 肖海林 赛青林 户慧玲 
上海市科研计划能力建设项目(14520500300);上海市科委科技攻关(13111103700)
作为垂直结构的Ga N基LED新型衬底材料,β-Ga2O3单晶已经引起了人们的广泛关注。β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4+掺入是其中一种很好提高β-Ga2O3导电性的方法。利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10%的掺锡...
关键词：Sn∶β-Ga2O3 浮区法 电导率 荧光光谱 
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