用SF_(6)-N_(2)混合气的反应离子刻蚀制作WSi_(x)微米结构  

Fabrication of WSi_(x) Micron Structures Using RIE in SF_(6)-N_(2) Mixture

作　　者：程美乔[1] 傅绍云 李建中[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1990年第5期355-359,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文报道了ESi_x在SF_6-Ar、SF_6-N_2混合气中的反应离子刻蚀(RIE)的实验结果。研究了在SF_6-N_2的混合气中刻蚀WSi_x时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率的影响。发现在SF_6/N_2中刻蚀WSi_x微米结构具有优越性。实验结果的重复性较好,并在高速场效应器件、光电集成器件(微米结构)制作中得到应用。This paper reports experiments on reactive ion etching of WSi_x using SF_6-Ar and SF_6-N_2as etchants.Etching characteristics are well studied with SF_6-N_2 system. N_2 is found to besuperior as a diluent of SF_6 in etching micrometen structures of WSi_x, and having good repeatability.GaAs MESFET and OEIC devices have been fabricated with the etching.

关 键 词：SF_(6)-N_(2)混合气 反应离子刻蚀 WSi_(x)微米结构 

分 类 号：TN405.982[电子电信—微电子学与固体电子学]